砥粒加工学会 次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会が12月5日（月）13：00～17：00までTKP神田駅前ビジネスセンター5階カンファレンスルーム5Cとオンライン（Cisco Webex）のハイブリッド形式で、「パワー半導体材料の基板加工技術最前線 ～Si, Sic, GaNの研削・研磨 他～」をテーマに第106回研究会を開催します。
同専門委員会によると、「カーボンニュートラル社会の実現に不可欠なパワー半導体デバイス市場の拡大が注目されている。これまで一部の特殊用途のみに搭載されてきたSiCパワーデバイスは、ここにきて本格普及の兆しが見えてきた。2025年以降、多くのEVに搭載されると予測されているからだ。2030年頃には縦型GaNパワーデバイスが登場してくる可能性もある。しかし、これまで圧倒的な市場を得ていたのはもちろんシリコンであり、今後もその地位は揺るがないものと思われる。そこで今回はこれらの主なパワー半導体デバイス材料の加工技術、中でも研削・研磨に焦点を当ててその分野の専門家に講演していただく。」とのこと。
主 催：公益社団法人砥粒加工学会 次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会
日 時：2022年12月5日(月) 13:00～17:00
開催方式：下記会場（対面）とCisco Webex（オンライン）のハイブリッド形式
会 場：TKP神田駅前ビジネスセンター5階 カンファレンスルーム５C
〒101-0044東京都千代田区鍛冶町2-2-1 三井住友銀行神田駅前ビル 5F
https://www.kashikaigishitsu.net/facilitys/bc-kanda-ekimae/room_detail/…
交 通：JR神田駅「東口」から徒歩３分
※ 講演者には開催前の状況により対⾯あるいはオンラインによる講演を選択。
※ オンラインによる参加の希望者には後⽇詳細情報を知らせる。
概 要
13:00～13:05 開会挨拶 山田高三委員長
13:05～13:55 講演１ 「 半導体デバイス材料の除去加工の進化 」
㈱高田工業所 阿部耕三 氏
13:55～14:45 講演２ 「 パワー半導体用基板材料の研削加工 」
旭ダイヤモンド工業㈱ 渡邊正和 氏
14:45～15:05 ＜休 憩＞
15:05～15:55 講演３ 「 固定砥粒ラップ定盤による大口径SiCウエハの研磨 」
㈱ミズホ 野副厚訓 氏
15:55～16:45 講演４ 「 固体電解質を用いた環境調和型ECMPによるSiCの高能率平滑化 」
立命館大学 村田順二 氏
16:45～16:50 閉会挨拶・事務連絡
17:10～19:10 技術交流会（予定）
■参加費
・研究会：当専門委員会会員：無料。非会員：15,000円 ※会員は5人まで、非会員は2人まで研究会に参加できる。
・技術交流会：2人／社まで無料。3名目からは会員・非会員問わず5,000円／人を徴収。
■申込締切日：2022年11月24日(木)
（注）当日キャンセルの非会員には、すでに準備に費用がかかっているため参加費を請求する。
●申し込みはホームページより↓
https://jsat-sf.jp/event.html
問合せ/申込先：当専門委員会事務局 田附
・FAX：048-858-3709 E-mail : sf-office@mech.saitama-u.ac.jp
