砥粒加工学会 次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会が、「次世代パワー半導体材料のスライシング・ダイシング技術 ～SiC,GaNの切断/割断技術～」をテーマに研究会を開催します。
同委員会によると、「パワー半導体市場は、5G関連などの情報通信機器分野や、中国、欧州における自動車・電装分野の需要増加などもあり、大幅に増加しています。その中でも大きな伸びを見込まれているのがSiC、GaN、Ga2O3等の次世代パワー半導体です。本研究会では、次世代パワー半導体材料の切断/割断技術に注目して、次世代パワー半導体切断のエキスパートをお招きし、最新のスライシング、ダイシング技術についてご講演をいただきます。」とのこと。
パワー半導体に活用される技術はまさに旬！ 知識を仕入れるチャンスです。
概要
主 催：公益社団法人砥粒加工学会 次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会
日 時：2023年4月14日(金) 13:00～17:00
開催方式：下記会場（対面）とCisco Webex Meeting（Web）のハイブリッド形式で開催。
〒100-0004 東京都千代田区区大手町1-8-1 KDDI大手町ビル22F
TKP東京駅大手町カンファレンスセンター カンファレンスルーム22A
電話： 03-3243-5231
https://www.kashikaigishitsu.net/facilitys/cc-tokyo-otemachi/access/
※ 講演者には開催前の状況により，対面かWeb のどちらでの講演かを選択できる。
※ Web開催に関する詳細情報は、参加希望者に後日通知する。
●13:00～13:05： 開会挨拶 委員長 日本大学 山田高三 氏
●13:05～13:55： 講演１ 「SiCウエハのレーザスライシング技術」
埼玉大学 山田 洋平 氏
●13:55～14:45： 講演２ 「GaNウエハのレーザスライシング技術」
名古屋大学 田中敦之 氏
●14:45～15:05 ＜休 憩＞
●15:05～15:55： 講演３ 「パワー半導体デバイスのレーザダイシング技術」
浜松ホトニクス(株) 飯田哲也 氏
●15:55～16:45： 講演４ 「割断を応用した化合物半導体(SiC)の結晶へき開型切断加工」
三星ダイヤモンド工業(株) 北市 充 氏
●16:45～16:55 閉会挨拶・事務連絡
●17:10～19:10 技術交流会（予定）
■参加費：研究会
当専門委員会会員：無料，非会員：15,400円（消費税10%を含む）
※会員は5人／社まで、非会員は2人／社まで研究会に参加できます。
■技術交流会
会員資格に関わらず２名／社まで参加できる。3人目からは4,950円／人（消費税10％を含む）を徴収する。
（注）「会員」とは専門委員会会員を指します。学会員ではないので注意すること。
■申込締切日：2023年4月６日(木)
（注）当日キャンセルの非会員には、すでに準備に費用がかかっているため参加費を請求する。
■問合せ/申込先：当専門委員会事務局 田附宙美宛
E-mail : sf-office@mech.saitama-u.ac.jp
■↓申し込みはホームページより↓
https://jsat-sf.jp/event.html
