【聴講者募集中】 砥粒加工学会　次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会「次世代パワー半導体材料のスライシング・ダイシング技術　～SiC,GaNの切断/割断技術～」をテーマに研究会

2023年03月14日

　砥粒加工学会　次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会が、「次世代パワー半導体材料のスライシング・ダイシング技術　～SiC,GaNの切断/割断技術～」をテーマに研究会を開催します。

　同委員会によると、「パワー半導体市場は、5G関連などの情報通信機器分野や、中国、欧州における自動車・電装分野の需要増加などもあり、大幅に増加しています。その中でも大きな伸びを見込まれているのがSiC、GaN、Ga2O3等の次世代パワー半導体です。本研究会では、次世代パワー半導体材料の切断/割断技術に注目して、次世代パワー半導体切断のエキスパートをお招きし、最新のスライシング、ダイシング技術についてご講演をいただきます。」とのこと。

　パワー半導体に活用される技術はまさに旬！　知識を仕入れるチャンスです。

概要

主　　催：公益社団法人砥粒加工学会 次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会
日　　時：2023年4月14日(金)　13:00～17:00
開催方式：下記会場（対面）とCisco Webex Meeting（Web）のハイブリッド形式で開催。
〒100-0004 東京都千代田区区大手町1-8-1 KDDI大手町ビル22F
TKP東京駅大手町カンファレンスセンター　カンファレンスルーム22A
電話： 03-3243-5231
https://www.kashikaigishitsu.net/facilitys/cc-tokyo-otemachi/access/
※ 講演者には開催前の状況により，対面かWeb のどちらでの講演かを選択できる。
※ Web開催に関する詳細情報は、参加希望者に後日通知する。

●13:00～13:05：　開会挨拶　委員長　日本大学　山田高三 氏

●13:05～13:55：　講演１　「SiCウエハのレーザスライシング技術」　
　埼玉大学　　山田　洋平 氏

●13:55～14:45：　講演２　「GaNウエハのレーザスライシング技術」
　名古屋大学　田中敦之 氏

●14:45～15:05　 ＜休　憩＞

●15:05～15:55：　講演３　「パワー半導体デバイスのレーザダイシング技術」
　浜松ホトニクス(株)　飯田哲也 氏

●15:55～16:45：　講演４　「割断を応用した化合物半導体(SiC)の結晶へき開型切断加工」
　三星ダイヤモンド工業(株)　北市 充 氏

●16:45～16:55　　閉会挨拶・事務連絡　

●17:10～19:10　　技術交流会（予定）

■参加費：研究会
当専門委員会会員：無料，非会員：15,400円（消費税10%を含む）
 ※会員は5人／社まで、非会員は2人／社まで研究会に参加できます。

■技術交流会
　会員資格に関わらず２名／社まで参加できる。3人目からは4,950円／人（消費税10％を含む）を徴収する。
　（注）「会員」とは専門委員会会員を指します。学会員ではないので注意すること。

■申込締切日：2023年4月６日(木) 
　（注）当日キャンセルの非会員には、すでに準備に費用がかかっているため参加費を請求する。

■問合せ/申込先：当専門委員会事務局　田附宙美宛
E-mail : sf-office@mech.saitama-u.ac.jp

■↓申し込みはホームページより↓
https://jsat-sf.jp/event.html